我國將量產首批32層三維NAND閃存芯片
2018-04-18 11:31:22
位于武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項目芯片生產機臺在本月11日正式進場安裝，這象征著國家存儲器基地從廠房建設階段進入量產準備階段，我國第一批擁有完全自主知識產權的32層三維NAND閃存芯片將于今年內量產，填補我國主流存儲器空白領域。
現(xiàn)在我國通用的存儲器基本全部都依靠進口，國家存儲器基地在去年成功研發(fā)我國首顆32層三維NAND閃存芯片。這顆耗資10億美元、由一千人的團隊耗費２年自主研發(fā)的芯片，這是我國在制造工藝上與國際高端水平最接近的主流芯片，這也許會讓我國進入全球存儲芯片第一梯隊，強力提高“中國芯”在國際市場的地位。
據(jù)了解，國家存儲器基地項目在2016年由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產業(yè)投資基金、湖北集成電路產業(yè)投資基金、湖北科投共同投資建設，總投資高達240億美元，預計項目一期總產能將達到30萬片／月，年產值將超過100億美元。
據(jù)悉，今年10月設備將點亮投產，預計2019年底64層閃存產品將達到爬坡量產。未來十年，紫光集團計劃至少還將投資1000億美元，相當于平均每年投入100億美元，進一步追趕上我國在高端芯片領域與先進國家的距離。
本文關鍵詞：
NAND閃存芯片
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