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偽靜態(tài)存儲器（Parrallel pSRAM）的設(shè)計是用于直接替代靜態(tài)隨機存儲器（SRAM），即使內(nèi)部存儲器的操作并非靜態(tài)。商業(yè)化的兩種偽靜態(tài)存儲器分別是偽靜態(tài)隨機存儲器（PSRAM）及鐵電隨機存儲器（F—RAM）。PSRAM針對慢速SRAM應(yīng)用；當純粹計算每個位的成本時具有競爭優(yōu)勢。F-RAM針對電池后備SRAM（即BBSRAM）應(yīng)用，在系統(tǒng)成本及產(chǎn)品供應(yīng)方面具有競爭力。F-RAM還有一個目標用途是用于非易失性數(shù)據(jù)獲得，在這種應(yīng)用中可以提供卓越的性能。

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16Mbit	IPS1604LSQ	3.0	20	SPI,QPI	-25℃ to 85℃	8-SOIC	Tube	MP	暫無

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