MRAM耐擦寫周期試驗
2017-09-15 14:28:36
MRAM MR2A16A位耐擦寫周期研究的目的是確定MRAM位元是否具有耐擦寫限制。該研究試驗還包括通過存儲器的重復使用是否對軟誤差率(SER)具有負面影響。寫周期試驗是在高溫系統中進行的，許多單元可以同時運行。功能測試和軟誤差率數據的收集在ATE上完成。
該設備在4MHz(250ns)和90℃條件下運行。MR2A16A的最高頻率是28.5MHz(35ns)。商用產品的最高環境溫度要求是70℃。經計算，如果將4MHz上運行的器件的工作頻率增加到28.5MHz，MR2A16A結溫將升高20℃。因此，盡管最高溫度要求是70℃，而實際上卻在90℃溫度下進行該項研究。
寫周期、功能測試和SER數據收集都是在最壞額定電壓和溫度工作條件下進行的。此時，研究結果顯示，試驗單元經過58萬億次擦寫周期而沒有出現任何故障。目前研究還在繼續進行，目的是為了驗證所獲取的MR2A16A 1T1MTJ位單元寫周期數據的普遍性。
本文關鍵詞：
MRAM
相關文章：
MRAM的發展前景
深圳市英尚微電子有限公司，十年來專業致力代理分銷存儲器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
了解更多關于存儲芯片知識，請關注英尚微電子：http://www.zgpl.net.cn
