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?Everspin和Globalfoundries將其MRAM協議擴展到12nm工藝

2020-03-13 09:53:03

MRAM是基于電子自旋而不是電荷的下一代存儲技術。MRAM通常被稱為“存儲器的圣杯”,具有快速,高密度和非易失性的特點,可以在單個芯片中替代當今使用的所有類型的存儲器。
 
Everspin是全球唯一的磁性RAM(MRAM)產品商業制造商。Everspin產品憑借其非常成功的ToggleMRAM技術,被用于從汽車,航空和存儲系統到工業自動化,航空航天等領域的各種應用。我司英尚微電子everspin代理,主要提供用戶各種容量大小的MRAM芯片產品,提供完善的產品技術和解決方案。
 
Everspin Technologies宣布已修訂與GLOBALFOUNDRIES的STT-MRAM聯合開發協議(JDA),以為高級12nm FinFETMRAM解決方案的未來項目設定條件。Everspin協議包括40nm,28nm和22nm工藝,現在還包括12nm。
 
 
Everspin 1Gb STT-MRAM芯片照片
 
GF最近宣布已在其22FDX平臺上實現了嵌入式MRAM(eMRAM)的初步生產。


Everspin MRAM  128Kb

Density Org. Part Number Pkg. Voltage Temp Order Multiple /Tray MOQ / Tray MOQ / T&R
128Kb 16Kx8 MR25H128ACDF 8-DFN sf 3.3v Industrial 570 1,140 4,000
128Kb 16Kx8 MR25H128ACDFR 8-DFN sf 3.3v Industrial 570 1,140 4,000
128Kb 16Kx8 MR25H128APDF 8-DFN sf 3.3v Industrial 570 1,140 4,000
128Kb 16Kx8 MR25H128APDFR 8-DFN sf 3.3v Industrial 570 1,140 4,000
128Kb 16Kx8 MR25H128AMDF 8-DFN sf 3.3v AEC-Q100 Grade 1 570 1,140 4,000
128Kb 16Kx8 MR25H128AMDFR 8-DFN sf 3.3v AEC-Q100 Grade 1 570 1,140 4,000


本文關鍵詞: MRAM

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