Everspin Technologies公司是全球領(lǐng)先的分立和嵌入式磁阻RAM（MRAM）和自旋扭矩MRAM（ST-MRAM）的設(shè)計(jì)，制造領(lǐng)導(dǎo)者，其市場和應(yīng)用領(lǐng)域的數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。憑借在數(shù)據(jù)中心，云存儲(chǔ)，能源，工業(yè)，汽車和運(yùn)輸市場部署的超過7000萬個(gè)MRAM和ST-MRAM產(chǎn)品，Everspin建立了世界上MRAM用戶最強(qiáng)大，發(fā)展最快的基礎(chǔ)。
 
Everspin Technologies公司4Mb M_作為標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，批量供貨，這款名為MR2A16ACYS35的產(chǎn)品存取時(shí)間為25及30納秒，具體參數(shù)可以參考規(guī)格書。
 
Everspin MR2A16ACYS35位寬256Kx16的4M非易失性MRAM存儲(chǔ)器。數(shù)據(jù)保持期長達(dá)20年以上而不會(huì)丟失，并會(huì)在掉電時(shí)由低壓抑制電路自動(dòng)提供保護(hù)，以防止在非工作電壓期間寫入。對(duì)于必須快速、永久地存儲(chǔ)和檢索關(guān)鍵數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用。
 
MR2A16ACYS35是必須快速永久存儲(chǔ)和檢索關(guān)鍵數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序的理想存儲(chǔ)器。具有商業(yè)、工業(yè)工作溫度。提供 AEC-Q100 1 級(jí)合格選項(xiàng)。35ns 讀/寫速度，無限續(xù)航。斷電時(shí)保留的數(shù)據(jù)。符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)的封裝。Everspin官方代理英尚微電子提供技術(shù)支持及樣品測試。
 
Everspin將持續(xù)快速擴(kuò)展MRAM產(chǎn)品組合，以協(xié)助更多客戶實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品差異化的目標(biāo)。不斷提高M(jìn)RAM產(chǎn)品的容量，并以極具成本效益的方式保持MRAM的獨(dú)有特性。
 
以下產(chǎn)品列表為4Mb并行MRAM

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp	MOQ(pcs) / Tray	MOQ(pcs)/ T&R
4Mb	256Kx16	MR2A16AYS35	44-TSOP	3.3V	Commercial	270	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	Industrial	270	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16AVYS35	44-TSOP2	3.3V	Extended	270	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16AMYS35	44-TSOP2	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	270	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16AMA35	48-BGA	3.3V	Commercial	696	2,000
4Mb	256Kx16	MR2A16ACMA35	48-BGA	3.3V	Industrial	696	2,000
4Mb	256Kx16	MR2A16AVMA35	48-BGA	3.3V	Extended	696	2,000
4Mb	256Kx16	MR2A16AVYS35R	44-TSOP2	3.3v	Extended	270	1500
4Mb	256Kx16	MR2A16AVMA35R	48-BGA	3.3v	Extended	696	2000
4Mb	256Kx16	MR2A16ACMA35R	48-BGA	3.3v	Industrial	270	1500
4Mb	256Kx16	MR2A16ACYS35R	44-TSOP2	3.3v	Industrial	696	2000
4Mb	256Kx16	MR2A16AYS35R	44-TSOP2	3.3v	Commercial	270	1500
4Mb	256Kx16	MR2A16AMA35R	48-BGA	3.3v	Commercial	696	2000
4Mb	256Kx16	MR2A16AMYS35R	44-TSOP2	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	270	1500

本文關(guān)鍵詞：MR2A16ACYS35,MRAM