這一年來閃存、內存市場遇到了好機遇，中國廠商的大量需求使得存儲芯片市場從降價變成了缺貨漲價，直至今年第一季度都會持續上漲。讓美光、三星以及SK Hynix等公司也因為閃存漲價而過上了好日子，三星去年第三季度在Note 7上的損失在第四季度就被閃存漲價填補回來了。中國缺少NAND閃存自主生產能力是個大障礙，幸而紫光集團已經在籌劃了，將在南京、武漢、成都三地建設存儲芯片廠，總投資達700億美元，2018年將量產國產3D NAND閃存。

                                

      繼紫光集團收購新芯公司之后，在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地已經不是什么新聞了，這兩年來時常有媒體對此進行詳細報道。Digitimes也報道稱湖北武漢市的工廠占地面積13公頃，近期已經開工，預計2018年正式量產3D NAND閃存。
      不過武漢只是紫光存儲芯片發展戰略的其中一部分，2017年還有兩個大計劃在四川成都、江蘇南京，投資金額超過460億美元，早前曾有媒體報道過前聯電CEO孫世偉加盟紫光擔任副總，他負責的就是成都晶圓廠，投資金額超過1200億人民幣。
      成都、南京460億美元加上武漢的240億美元投資，紫光建設三大存儲芯片基地的投資將超過700億美元，人民幣大約5000億元，放眼全球也是大手筆投資了，以致于美國都在政府顧問報告中指出中國自主發展半導體產業將降低美國企業競爭力，甚至影響美國國家安全。
      除了存儲芯片之外，紫光集團還在尋求進入邏輯IC芯片制造領域，也就是說存儲芯片針對的是美光、三星、東芝這些公司，而邏輯芯片制造則是針對TSMC、Intel、三星LSI等公司了。

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