先進的SSD架構(gòu)：STT-MRAM取代DRAM
隨著STT-MRAM密度的增加，STT-MRAM有機會完全取代SSD架構(gòu)中的DRAM（圖1），從而提供更多高級功能，而只有在以DRAM速度運行的大量持久性內(nèi)存中，這種能力才可能實現(xiàn)。
   
較小的SSD，通常使用平面FTL表，每兆字節(jié)的閃存存儲需要大約1GB的ST-DDR。更大的SSD的趨勢是使用多層分層表來減小DDR中保存的表大小。但是，仍然必須定期將這些表與其他控制器元數(shù)據(jù)一起寫入緩存，這會使控制器的設(shè)計復(fù)雜化。這些分層解決方案的確提供了上電后恢復(fù)時間更快的附加優(yōu)點，因為控制器不必等到從閃存加載整個平面表后就可以了。
 
要實現(xiàn)包括重復(fù)數(shù)據(jù)刪除和壓縮在內(nèi)的高級功能，需要維護必要的表并將其存儲在ST-DDR中。這些表還需要通過斷電來維護，因此必須刷新到閃存，這會增加控制器設(shè)計的復(fù)雜性。

本文關(guān)鍵詞：STT-MRAM

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